ХІМІЧНЕ ТРАВЛЕННЯ МОНОКРИСТАЛІВ СdTe, ZnxCd1-xTe та CdxHg1-xTe РОЗЧИНАМИ HNO3 – KI – ДИМЕТИЛФОРМАМІД
DOI:
https://doi.org/10.35433/naturaljournal.3.2023.155-166Ключові слова:
хімічне розчинення, кадмій телурид, монокристали, швидкість розчинення, травник, хіміко-динамічне полірування, хіміко-механічне поліруванняАнотація
У відтворюваних гідродинамічних умовах уперше досліджено хімічне розчинення монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe у розчинах HNO3 – KI – диметилформамід. Показано, що травильні композиції даної системи дешевші, створюють менш агресивне середовище, стійкіші у часі та є екологічно безпечніші. Побудовано діаграми «склад розчину – швидкість розчинення» та визначено концентраційні межі поліруючих травників. Хіміко-динамічне полірування досліджуваними розчинами може проводитись при об’ємному вмісті HNO3 9-15 % при цьому швидкість полірування поверхні монокристалів CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe знаходиться у межах 1,6-2,5 мкм/хв. Встановлено залежність концентрації йонів, які перейшли у розчин після взаємодії твердих розчинів ZnxCd1-xTe з досліджуваними травниками, від вмісту окисника у травнику та показано, що вміст йонів у розчині відповідає мольному співвідношенню у напівпровіднику і свідчить про рівномірне розчинення поверхні. За даними кінетичних досліджень розраховано уявну енергію активації процесу полірування для розчину складу (в об. %): 12 НNO3 + 88 KІ (ДМФА), яка не перевищує 15,1 кДж/моль для СdTe і 7,7 кДж/моль для твердих розчинів на його основі, що вказує на лімітування процесу дифузійними стадіями. Визначено вплив лактатної кислоти та природи напівпровідника на кінетику хіміко-механічного полірування досліджуваних монокристалів. При розведені поліруючого розчину органічною кислотою до 40 об. % швидкість хіміко-механічного полірування зменшується від 3,5 до 0,5 мкм/хв. Розроблено склади травильних сумішей та режими реалізації хіміко-динамічного полірування, яке рекомендується проводити у відповідній установці при температурі 293 К і швидкістю обертання диску 82 хв 1 та хіміко-механічного полірування вказаних монокристалів з додаванням лактатної кислоти і швидкостями розчинення 3,5-0,5 мкм/хв.
Посилання
Гвоздієвський Є Є., Денисюк Р. О, Томашик В. М., Томашик З. Ф., Гриців В. І. Хімічне полірування СdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і Cd1-xHgxTe водними розчинами HNO3 – НІ – тартратна кислота. Науковий вісник Чернівецького університету. 2013. Вип. 658.: Хімія. C. 136–140.
Гвоздієвський Є. Є., Денисюк Р. О., Томашик В. М., Томашик З. Ф. Хімічна обробка CdTe та твердих розчинів ZnxCd1-xTe і Cd0,2Hg0,8Te водними розчинами HNO3 – НІ – лактатна кислота. Фізика і хімія твердого тіла. 2016. Т. 17. № 2. С. 247–250. https://doi.org/10.15330/pcss.17.2.247-250
Гвоздієвський Є. Є., Денисюк Р. О., Томашик В. М., Томашик З. Ф. Травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe і CdxHg1-xTe водними розчинами HNO3 – НІ – гліцерин. Фізика і хімія твердого тіла. 2017. Т. 18. № 1. С. 117–121. https://doi.org/10.15330/pcss.18.1.117-121
Денисюк Р. О., Томашик В. М., Томашик З. Ф., Гриців В. І. Хімічна взаємодія Cd1-xMnxTe з травильними композиціями Н2О2 – НІ – лактатна кислота. Фізика і хімія твердого тіла. 2012. Т. 13. № 2. С. 410–414.
Денисюк Р. О. Хіміко-механічне полірування Cd1-xMnxTe розчинами на основі Н2О2 – HI – цитратна кислота. Фізика і хімія твердого тіла. 2014. Т. 15. № 1. С. 214–218.
Денисюк Р. О., Томашик В. М., Гвоздієвський Є. Є. Взаємодія монокристалів твердих розчинів ZnxCd1-xTe та Cd0,2Hg0,8Te з травильними композиціями І2 – НІ. Вопросы химии и химической технологии. 2016. Т. 2. № 106. С. 51–55.
Чайка М. В., Денисюк Р. О., Томашик З. Ф., Томашик В. М. Хімічна взаємодія CdTe, ZnxCd1-xTe та CdxHg1-xTe з водними розчинами К2Cr2O7 – HBr (HCl). Вопросы химии и химической технологии. 2018. № 1. С. 51–56.
Чайка М. В., Томашик З. Ф., Маланич Г. П., Томашик В. М., Панасюк Д. Ю., Камінський О. М. Фізико-хімічна взаємодія монокристалів CdTe та ZnxCd1-xTe з водними розчинами К2Cr2O7 – HBr – оксалатна кислота. Вопросы химии и химической технологии. 2020. № 4. С. 187–193. https://doi.org/10.32434/0321-4095-2020-131-4-187-193
Чайка М. В., Томашик З. Ф., Томашик В. М., Маланич Г. П., Денисюк Р. О. Хімічне травлення монокристалів CdTe, ZnxCd1-xTe та CdxHg1-xTe водними розчинами К2Cr2O7 – HBr – ацетатна кислота. Науковий вісник Чернівецького університету. 2018. Вип. 805: Хімія. С.46–52.
Чайка М. В., Томашик З. Ф., Томашик В. М., Маланич Г. П., Корчовий А. А. Особливості хімічного розчинення монокристалів CdTe, ZnxCd1−xTe та CdxHg1−xTe у водних розчинах К2Cr2O7 – HBr – C4H6O6. Вопросы химии и химической технологии. 2018. № 6. С. 99–106. https://doi.org/10.32434/0321-4095-2018-121-6-99-106
Chayka M. V., Tomashyk Z. F., Tomashyk V. M., Malanych G. P., Korchovyi A. A. Optimization of bromine-emerging etching compositions K2Cr2O7 – HBr – ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd1-xTe and CdxHg1-xTe. Functional Materials. 2019. V. 26. № 1. P. 189–196. https://doi.org/10.15407/fm26.01.189
Chayka M. V., Tomashyk Z. F., Tomashyk V. M., Malanych G. P., Korchovyi A. A. Chemical-mechanical polishing of CdTe, ZnxCd1-xTe and CdxHg1-xTe single crystal surfaces by K2Cr2O7 – HBr – solvent etchants. Functional Materials. 2019. V. 26. № 2. P. 412–418. https://doi.org/10.15407/fm26.02.412
Chayka M. V., Tomashyk Z. F., Tomashyk V. M., Malanych G. P., Korchovyi A. A. Peculiarities of nanosized relief formation on the CdxHg1-xTe single crystals surface using K2Cr2O7 – HBr – solvent etchants. Functional Materials. 2022. V. 29. № 2. P. 305–313. https://doi.org/10.15407/fm29.02.305
Chayka M., Tomashyk Z., Tomashyk V., Malanych G., Korchovyi A. Formation of nanosized relief on the CdTe single crystals surface by bromine-emerging etchants. Applied Nanoscience. 2022. V. 12. № 3. P. 603–609. https://doi.org/10.1007/s13204-021-01716-8
Crocco J., Zheng Q., Bensalah H., Dieguez E Detector surface preparation of Cd0.9Zn0.1Te for electrode patterning. Applied Surface Science. 2012. V. 258. P. 2948–2952. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2011.11.014
Denysyuk R. O. Chemical treatment of Cd1-xMnxTe single crystals with Н2О2 – HI – citric acid aqueous solutions. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014. V. 17. № 1. P. 21–24.
Denysyuk R. O., Tomashik V. M., Tomashik Z. F., Chernyuk O. S., Grytsiv V. I. Chemical treatment of monocrystalline cadmium telluride and Cd1-xMnxTe solid solutions by Н2О2 – HI – citratic acid etchant compositions. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2009. V. 12. № 2. P. 125–128.
Hvozdiyevskyi Ye. Ye. Denysyuk R. O., Tomashyk V. M., Malanych G. P., Tomashyk Z. F. Interaction of HNO3 – HI – citric acid aqueous solutions with CdTe, Zn0.04Cd0.96Te, Zn0.1Cd0.9Te and Cd0.2Hg0.8Te semiconductors. Functional Materials. 2018. V. 25. № 3. P. 471–476. https://doi.org/10.15407/fm25.03.471
Nelson A. J., Conway A. M., Reinhardt C. E., Ferreira J. L., Nikolic R. J., Payne S. A. X-ray photoemission analysis of passivated Cd(1–x)ZnxTe surfaces for improved radiation detectors. Materials Letters. 2009. V. 63. P. 180–181. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2008.09.051